GaAS砷化镓和InP磷化铟属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,是常用的两种衬底,化合物半导体产业类似与传统硅基半导体,但又有着自己独特的地方。两种化合物都依赖四个环节从衬底→外延→晶圆片→各电子元器件而完成规模性生产。GaAS与磷化铟通常都通过MOCVD与MBE工艺来实现磊晶体外延生长，其中MOCVD工艺长晶速度快，可成长多种材料，易控制，再现良性好，会产生毒气体，需作特别的防护处理，主要用于光元件。MBE工艺可成长原子级磊晶层，主要用于电子元件。
GaAS用于制造光电器件（LCD），激光器（ＬD），场效应晶体管（FET），高电子迁移率晶体管（HEMT），异质结双极晶体管（HBT），高速器件和微波单片集成电路（MMIC），微波／毫米波集成电路（MIMIC），高速集成电路，太阳电池。
磷化铟InP被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。
