一、OLED制造:多晶合成过程中，用于盛放单质镓的容器，需要在高温下不变形、不开裂，要求容器的纯度高，不引入杂质，使用寿命长，是多晶合成过程中理想的反应容器，PBN可以满足以上所有要求，我们的PBN坩埚与PBN环系列在该项技术中得到广泛应用。
二、分子束外延:分子束外延（MBE）是当今世界最重要的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体外延生长工艺之一。它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。
三、化合物半导体单晶生长:化合物半导体单晶（比如GaAs、InP等）的生长需要极其严格的环境，包括温度、原料纯度以及生长容器纯度等。PBN是目前化合物半导体单晶生长用最为理想的容器，无可替代。
四、多晶合成:生长化合物半导体单晶之前，一般需要先合成化合物半导体的多晶材料。水平定向凝固法是目前合成GaAs多晶最流行的方法之一。水平定向凝固法是目前合成GaAs多晶最流行的方法之一。
五、MOCVD加热器:MOCVD技术是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料的一种技术。
六、卫星通讯TWT:行波管（TWT）是靠连续调制电子注的速度来实现放大功能的微波电子管。是当今广泛应用于雷达、电子对抗、通信等领域作为微波功率放大的核心器件。
